装置仕様
(1)主な検査項目:Substrate Warpage / Bump Height / Bump Coplanarity
(2)FOV:13.0mmX13.0mm
(3)Z計測範囲:80μm~4000μm
(4)XY分解能力:8.0μm
(5)加熱温度:-55℃→220℃
(6)加熱速度:25℃→220℃ Within 10 minutes
(7)冷却速度:25℃→-50℃ Within 7 minutes
(8)計測繰返精度(反り) :3σ≦2μm
(9)計測繰返精度(高さ):3σ ave.≦ 1.5μm
(10)装置サイズ:(W)2,000mmX(D)2,015mmX(H)1,800mm